FDMC86262P vs FDMC86102L

FDMC86262PとFDMC86102Lの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDMC86262P

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3095 個数 | オンセミコンダクター社
FDMC86102L

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5678 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
説明 MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta), 8.4A (Tc) 7A (Ta), 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 307mOhm @ 2A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 885 pF @ 75 V 1330 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : FDMC86262P FDMC86102L

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