FDMC86116LZ vs FDMC86262P

FDMC86116LZとFDMC86262Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC86116LZ

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6484 個数
Series: トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET

+BOM 見積依頼

Part B

FDMC86262P

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3095 個数
Package: WDFN-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDMC86116LZ	FDMC86262P
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
Base Product Number	FDMC86116	-
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103mOhm @ 3.3A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310 pF @ 50 V	-
Power Dissipation (Max)	2.3W (Ta), 19W (Tc)	2.3W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	2A (Ta), 8.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	307mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	13 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	885 pF @ 75 V

Compare 見積依頼