FDS6675BZ vs FDS6690A
FDS6690AとFDS6675BZの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
11A (Ta)
11A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
12.5mOhm @ 11A, 10V
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16 nC @ 5 V
62 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1205 pF @ 15 V
2470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
