IRF5803TRPBF vs IRF5810
IRF5803TRPBFとIRF5810の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
説明
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
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90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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650pF @ 16V
Power-Max
-
960mW
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRF5803
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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