IRF7104TRPBF vs IRF7106
IRF7104TRPBFとIRF7106の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3A, 2.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
300pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
