IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
IRFHM792TRPBFとIRFHM8363TR2PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
VDFN-8
VDFN-8
説明
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
ProductStatus
Last Time Buy
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
195mOhm @ 2.9A, 10V
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 10µA
2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6.3nC @ 10V
15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
251pF @ 25V
1165pF @ 10V
Power-Max
2.3W
2.7W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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