IRFHM830TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF
IRFHM830TRPBFとIRFHM8363TR2PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
VDFN-8
説明
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
11A
RdsOn(Max)@IdVgs
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14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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1165pF @ 10V
Power-Max
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2.7W
MountingType
-
Surface Mount
Series
HEXFET®
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Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRFHM830
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
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Vgs (Max)
±20V
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Power Dissipation (Max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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