IRFP260MPBF vs IRFP250PBF

IRFP250PBFとIRFP260MPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRFP250PBF

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1442 個数 | ビシェイ・シリコニクス
IRFP260MPBF

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5964 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ TO-247-3 TO-247
説明 MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Tc) 50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 85mOhm @ 18A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 140 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2800 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 190W (Tc) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
比較モデル : IRFP250PBF IRFP260MPBF

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