IRFP250PBF vs IRFP27N60KPBF

IRFP250PBFとIRFP27N60KPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP250PBF

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 1442 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRFP27N60KPBF

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle: Active
Stock: 7102 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRFP250PBF	IRFP27N60KPBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	27A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	85mOhm @ 18A, 10V	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V	180 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2800 pF @ 25 V	4660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)	500W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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