IRFP250PBF vs IRFP2907PBF

IRFP250PBFとIRFP2907PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP250PBF

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle
Active
Stock
1442 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Part B

IRFP2907PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3634 個数
Package
TO-247
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRFP250PBF IRFP2907PBF
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc) 209A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 85mOhm @ 18A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 13000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 190W (Tc) 470W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
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