LT1013DDR vs LT1012ACS8#TRPBF 比較

LT1013DDRとLT1012ACS8#TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LT1013DDR

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4759 個数 | STマイクロエレクトロニクス
LT1012ACS8#TRPBF

+BOM

6122 個数 | テキサス・インスツルメンツ
パッケージ SOIC-8
説明 IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SO
Supplier - Analog Devices Inc.
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 1
Slew Rate 0.4V/µs 0.2V/µs
Current - Input Bias 18 nA 25 pA
Voltage - Input Offset 90 µV 8 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 380µA
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 2.4 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 40 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Gain Bandwidth Product 1 MHz -
比較モデル : LT1013DDR LT1012ACS8#TRPBF

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