LT1013DDR vs LT1013DMD

LT1013DDRとLT1013DMDの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LT1013DDR

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
4759 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
Part B

LT1013DMD

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
7331 個数
Package
SOIC-8
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Full specification comparison

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Specification LT1013DDR LT1013DMD
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.4V/µs 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 18 nA 18 nA
Voltage - Input Offset 90 µV 90 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 5 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 30 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount