LT1013DDR vs LT1013DDE4

LT1013DDRとLT1013DDE4の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
LT1013DDR

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4759 個数 | STマイクロエレクトロニクス
LT1013DDE4

+BOM

8139 個数 | STマイクロエレクトロニクス
パッケージ 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
説明 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 18 nA 18 nA
Voltage-InputOffset 90 µV 90 µV
Current-Supply 320µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : LT1013DDR LT1013DDE4

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