MC33153DR2G vs MC33178D

MC33153DR2GとMC33178Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33153DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3220 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

MC33178D

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5917 個数
Package
SOIC-8
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MC33153DR2G MC33178D
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 2V/µs
Gain Bandwidth Product - 5 MHz
Current - Input Bias - 100 nA
Voltage - Input Offset - 150 µV
Supply Current - 1.7mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 100 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 4 V
Voltage - Supply Span(Max) - 36 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Single -
Number of Drivers 1 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 11V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 3.2V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1A, 2A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 17ns, 17ns -