MMBFJ113 vs MMBFJ177LT1G

MMBFJ113とMMBFJ177LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ113

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 3556 個数
Package: SOT-23
Series: トランジスタ - JFET

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Part B

MMBFJ177LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 4949 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - JFET

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Full specification comparison

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Specification	MMBFJ113	MMBFJ177LT1G
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)	35 V	30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)	2 mA @ 15 V	1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id	500 mV @ 1 µA	800 mV @ 10 nA
Rds On	100 Ohms	300 Ohms
Power - Max	350 mW	225 mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	11pF @ 10V (VGS)

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