MMBFJ176 vs MMBFJ177LT1G

MMBFJ176とMMBFJ177LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ176

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7683 個数
Series
トランジスタ - JFET
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Part B

MMBFJ177LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4949 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - JFET
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Full specification comparison

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Specification MMBFJ176 MMBFJ177LT1G
Part Status Active Active
Base Product Number MMBFJ1 -
FET Type P-Channel P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Rds(on) 250 Ohms -
Power - Max 225 mW 225 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 800 mV @ 10 nA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Rds On - 300 Ohms
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