MMBFJ309LT1G vs MMBFJ203

MMBFJ309LT1GとMMBFJ203の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBFJ309LT1G

+BOM

3774 個数 | オンセミコンダクター社
MMBFJ203

+BOM

2002 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23-3 TO-236-3
説明 RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType - N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 40 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 4 mA @ 20 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 2 V @ 10 nA
Power-Max - 350 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
TransistorType N-Channel JFET -
CurrentRating(Amps) 30mA -
Voltage-Rated 25 V -
比較モデル : MMBFJ309LT1G MMBFJ203

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