MMBT5550LT1G vs MMBT5551 比較
MMBT5551とMMBT5550LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
パッケージ
SOT-23-3
説明
TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Part Status
Active
Active
Transistor Type
NPN
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
-
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
-
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
-
Power - Max
350 mW
225 mW
Frequency - Transition
300MHz
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
Current - Collector(Ic)(Max)
-
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
-
250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)
-
100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
-
60 @ 10mA, 5V
