MMBT5551LT1G vs MMBT5401 比較

MMBT5401とMMBT5551LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBT5401

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6921 個数 | オンセミコンダクター社
MMBT5551LT1G

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2356 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23-3 SOT-23-3
説明 TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3 TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : MMBT5401 MMBT5551LT1G

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