SI2305-TP vs SI2302CDS-T1-GE3

SI2305-TPとSI2302CDS-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2305-TP

マイクロコマーシャル株式会社

Lifecycle
Active
Stock
6247 個数
Package
SOT-23
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Part B

SI2302CDS-T1-GE3

ビシェイ・シリコニクス

Lifecycle
Active
Stock
2481 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification SI2305-TP SI2302CDS-T1-GE3
Series - TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.1A (Ta) 2.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2A, 1.8V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 900mV @ 250µA 850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 710mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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