SI2305-TP vs SI2302DDS-T1-GE3
SI2305-TPとSI2302DDS-T1-GE3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23
SOT-23-3
説明
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
-
TrenchFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
8 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.1A (Ta)
2.9A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
900mV @ 250µA
850mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
15 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
PowerDissipation(Max)
350mW (Ta)
710mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
