STD10NM60N vs STD10P10F6
STD10NM60NとSTD10P10F6の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-252-3
TO-252-3
説明
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series
MDmesh™ II
STripFET™ F6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max)
70W (Tc)
40W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
