HGT1S7N60A4DS

画像は参考用です

HGT1S7N60A4DS

+BOM

IGBT 600V 34A 125W TO263AB

  • メーカーオンセミコンダクター社

  • メーカー品番 #HGT1S7N60A4DS

  • パッケージ TO-263-3

  • 在庫状況8343

365 日間品質保証

7*24 日間の品質保証

90-時間単位のサービス保証

1日間のアフターサービス保証

仕様

属性 値
Supplier onsemi
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 34 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 56 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 7A
Power - Max 125 W
Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 37 nC
Td(on / off) @ 25°C 11ns/100ns
Test Condition 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 34 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

HGT1S7N60A4DSに関連する製品