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IRF9953
+BOMMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
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メーカーインフィニオンテクノロジーズ
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メーカー品番 #IRF9953
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データシート IRF9953 DataSheet
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パッケージ SOIC-8
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在庫状況9359
365 日間品質保証
7*24 日間の品質保証
90-時間単位のサービス保証
1日間のアフターサービス保証
仕様
| 属性 | 値 |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tube |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 2.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
