2N7002DW vs 2N7002-7-F 比較

2N7002DWと2N7002-7-Fの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
2N7002DW

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6631 個数 | オンセミコンダクター社
2N7002-7-F

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5757 個数 | アナログ・デバイセズ
パッケージ SOT-23-3
説明 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 115mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 370mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
比較モデル : 2N7002DW 2N7002-7-F

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