APT30DQ60BG vs APT30GS60KRG 比較
APT30DQ60BGとAPT30GS60KRGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-247-2
TO-220-3
説明
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
IGBT 600V 54A 250W TO220
Supplier
-
Microchip Technology
Part Status
Active
Obsolete
IGBT Type
-
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
600 V
Current - Collector(Ic)(Max)
-
54 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
-
113 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
-
3.15V @ 15V, 30A
Power - Max
-
250 W
Switching Energy
-
570µJ (off)
Input Type
-
Standard
Gate Charge
-
145 nC
Td(on / off) @ 25°C
-
16ns/360ns
Test Condition
-
400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Diode Type
Standard
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
-
Current - Average Rectified(Io)
30A
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.4 V @ 30 A
-
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 µA @ 600 V
-
