APT30DQ60BG vs APT30GT60BRG

APT30DQ60BGとAPT30GT60BRGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

APT30DQ60BG

マイクロチップ・テクノロジー

Lifecycle
Active
Stock
1309 個数
Package
TO-247-2
Series
ダイオード - 整流器 - シングル
Part B

APT30GT60BRG

マイクロチップ・テクノロジー

Lifecycle
Active
Stock
4074 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification APT30DQ60BG APT30GT60BRG
Supplier - Microchip Technology
Series - Thunderbolt IGBT®
Part Status Active Active
IGBT Type - NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 64 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 110 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.5V @ 15V, 30A
Power - Max - 250 W
Switching Energy - 525µJ (on), 600µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 145 nC
Td(on / off) @ 25°C - 12ns/225ns
Test Condition - 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.4 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V -