FDG6301N vs FDG6303N

FDG6303NとFDG6301Nの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDG6303N

+BOM

6717 個数 | オンセミコンダクター社
FDG6301N

+BOM

7191 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ
説明 MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Part Status Obsolete Obsolete
Base Product Number FDG6303 FDG6301
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
比較モデル : FDG6303N FDG6301N

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