Part A
FDG6301N
オンセミコンダクター社
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7191 個数
- Series
- トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ
FDG6301NとFDG6304P_D87Zの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。
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| Specification | FDG6301N | FDG6304P_D87Z |
|---|---|---|
| Supplier | - | onsemi |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| FET Type | - | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V | 25V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | - | 410mA |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | - | 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | - | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | - | 62pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW | 300mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Base Product Number | FDG6301 | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 220mA, 4.5V | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V | - |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) | - |