FDG6301N vs FDG6314P

FDG6301NとFDG6314Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDG6301N

+BOM

7191 個数 | オンセミコンダクター社
FDG6314P

+BOM

9279 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
説明 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88 MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
Supplier - onsemi
ProductStatus - Obsolete
FETType - 2 P-Channel (Dual)
FETFeature - Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 25V
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6301 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
比較モデル : FDG6301N FDG6314P

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