IRF9317TRPBF vs IRF9358PBF 比較
IRF9358PBFとIRF9317TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
-
Power - Max
2W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
IRF9358
-
FET Type
-
P-Channel
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
16A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
92 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
2820 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
-
2.5W (Ta)
