IRF9321TRPBF vs IRF9317TRPBF 比較
IRF9317TRPBFとIRF9321TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
16A (Ta)
15A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
6.6mOhm @ 16A, 10V
7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.4V @ 50µA
2.4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
2820 pF @ 15 V
2590 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
