MMBFJ177LT1G vs MMBFJ177LT1

MMBFJ177LT1GとMMBFJ177LT1の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ177LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4949 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - JFET
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Part B

MMBFJ177LT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8583 個数
Series
トランジスタ - JFET
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Specification MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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