MMBT5401 vs MMBT5551M3T5G

MMBT5401とMMBT5551M3T5Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6921 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
+BOM 見積依頼
Part B

MMBT5551M3T5G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3746 個数
Package
SOT-723
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
+BOM 見積依頼

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

見積依頼 Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5401 MMBT5551M3T5G
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 265 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 300MHz -
Compare 見積依頼