MMBT5401 vs MMBT5550LT1G

MMBT5401とMMBT5550LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6921 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

MMBT5550LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6596 個数
Package: SOT-23-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	MMBT5401	MMBT5550LT1G
Part Status	Obsolete	Active
Transistor Type	PNP	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	600 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	150 V	140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	500mV @ 5mA, 50mA	250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	60 @ 10mA, 5V	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	350 mW	225 mW
Frequency - Transition	300MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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