NCP5106BDR2G vs NCP5109ADR2G

NCP5106BDR2GとNCP5109ADR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5106BDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5795 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

NCP5109ADR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9394 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ

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Specification NCP5106BDR2G NCP5109ADR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 200 V
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount