NCP5106BDR2G vs NCP51145PDR2G 比較

NCP5106BDR2GとNCP51145PDR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
NCP5106BDR2G

+BOM

5795 個数 | オンセミコンダクター社
NCP51145PDR2G

+BOM

2518 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8 SOIC-8
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Applications - LDO (Linear), DDR
Voltage - Input - 1V ~ 5.5V
Number of Outputs - 1
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
比較モデル : NCP5106BDR2G NCP51145PDR2G

+BOM 見積依頼