NCP5106BDR2G vs NCP51199PDR2G

NCP5106BDR2GとNCP51199PDR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

NCP5106BDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5795 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
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Part B

NCP51199PDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6075 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - 電圧レギュレータ - 特殊用途
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Full specification comparison

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Specification NCP5106BDR2G NCP51199PDR2G
Part Status Active Obsolete
Applications - LDO (Linear), DDR
Voltage - Input - 1.5V ~ 5.5V
Number of Outputs - 1
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
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