NCP5106BDR2G vs NCP5162DR2

NCP5106BDR2GとNCP5162DR2の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5106BDR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5795 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

NCP5162DR2

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2613 個数
Package
SOIC-16
Series
PMIC - 電圧レギュレータ - DC/DCスイッチングコントローラ

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Specification NCP5106BDR2G NCP5162DR2
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Output Type - Transistor Driver
Function - Step-Down
Output Configuration - Positive
Topology - Buck
Number of Outputs - 1
Output Phases - 1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd) - 8.8V ~ 18V
Duty Cycle(Max) - 100%
Synchronous Rectifier - Yes
Clock Sync - No
Control Features - Enable, Soft Start
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -