2N7002DW vs 2N7002E-T1-E3

2N7002DWと2N7002E-T1-E3の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
2N7002DW

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6631 個数 | オンセミコンダクター社
2N7002E-T1-E3

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7566 個数 | ビシェイ・シリコニクス
パッケージ SOT23-3
説明 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 240mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 21 pF @ 5 V
PowerDissipation(Max) - 350mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Active -
Base Product Number 2N7002 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V -
Power - Max 200mW -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
比較モデル : 2N7002DW 2N7002E-T1-E3

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