MMBFJ310LT1G vs MMBFJ177LT1G 比較
MMBFJ177LT1GとMMBFJ310LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-3
SOT-23-3
説明
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
-
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)
30 V
-
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)
1.5 mA @ 15 V
-
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id
800 mV @ 10 nA
-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
11pF @ 10V (VGS)
-
Rds On
300 Ohms
-
Power - Max
225 mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Transistor Type
-
N-Channel JFET
Gain
-
12dB
Voltage - Test
-
10 V
Current Rating (Amps)
-
60mA
Current - Test
-
10 mA
Voltage - Rated
-
25 V
