NCP5181DR2G vs NCP5109ADR2G 比較

NCP5181DR2GとNCP5109ADR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
NCP5181DR2G

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4243 個数 | オンセミコンダクター社
NCP5109ADR2G

+BOM

9394 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOIC-8 SOIC-8
説明 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Last Time Buy Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.4A, 2.2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 200 V
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
比較モデル : NCP5181DR2G NCP5109ADR2G

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