2N7002DW vs 2N7002ET1G
2N7002ET1Gと2N7002DWの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT23-3
説明
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
ProductStatus
Active
-
FETType
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
260mA (Ta)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
2.5V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
0.81 nC @ 5 V
-
Vgs(Max)
±20V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
26.7 pF @ 25 V
-
PowerDissipation(Max)
300mW (Tj)
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
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Part Status
-
Active
Base Product Number
-
2N7002
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max
-
200mW
Packaging
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Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
